静电相关英文缩写词解释
ccm: charged chip model,带电芯片模型。
cdm :charged device model,带电器件模型。
cmos: complementary metal-oxide-semiconductor,互补金属-氧化物-半导体。
dip:dual-in-line package,双列直插式封装。
ebp:earth bonding point,接地连接点。
ecl :emitter coupled logic,发射极耦合逻辑。
emc: electromagnetic compatibility,电磁兼容性。
emp :electromagnetic pulse,电磁脉冲。
epa:electrostatic discharge protected area,防静电工作区。
eprom :erasable programmable read only memory,可擦可编程只读存储器。
esd: elecrostatic discharge,静电放电。
esds: electrostatic discharge sensitive,静电放电敏感（的）。
fet: field effect transistor,场效应品体管。
fim: field induced model,电场感应模型。
gfci: ground fault circuit interrupter,接地故障电路断路器。
hbm :human body model,人体模型。
hmos: high density metal-oxide-scmiconductor,高密度金属-氧化物一半导体。
jfet: junction field effect transistor,结型场效应品体管。
lru: line or lowest replaceable unit,线路或最低可替换单元。
si: large scale integration,大规模集成。
lsttl: low-power schottky transistor-transistor logic,低功耗肖特基品体管一品体管逻辑。
mm: machine model,机械模型。
mis: metal-isolator-semiconductor,金属-绝缘体-半导体。
mnos: metal-nitride-oxide-semiconductor,金属-氮化物-氧化物-半导体。
mos: metal-oxide-semiconductor,金属一氧化物一半导体。
nmos: n-channel metal-oxide-scmiconductor, n沟道金属-氧化物-半导体。
pga: pin-grid array,针栅阵列。
pmos: p-channel metal-oxide-semiconductor,p沟道金属-氧化物-半导体。
pvc: polyvinyl chloride,聚氯乙烯。
ram: random access memory,随机存取存储器。
rf: radio-frequency,射频。
rfi:radio-frequency interference,射频干扰。
saw: surface acoustic wave,声表面波。
scr: semiconductor controlled rectifier,可控半导体整流器。
sop: smnll outline package,小型外壳封装。
sru: system or shop replaceable unit,系统或商店可更换单元。
tdp: technical data package,技术数据包。
tqm: total quality management,全面质量管理。
tlt: transistor-transistor logic,晶体管-晶体管逻辑。
uv: eprom ultraviolet erasable programmable read only m,紫外线可擦可编程只读存储器。
vdr: voltage dependent resistor,随电压变化的电阻器。
vhsi: very high speed integration,超高速集成。
vlsi: very large scale integration,超大规模集成。
vmos: vertical groove metal-oxide-semiconductor,垂直槽金属-氧化物-半导体。
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