对静电反应敏感的元器件称为静电敏感元器件(static sensitive device，简称ssd)。静电敏感元器件主要是指超大规模集成电路，特别是金属化膜半导体(mos)电路。例如，mosfet金属氧化物半导体场效应晶体管的静电敏感范围为100-200v，场效应管为140-10000v，cmos电路为250-20000v。根据ssd能够承受而不至于被损坏的静电极限电压值(也可称为静电敏感度)将ssd分为三级，根据ssd分级表，针对不同的ssd采取不同的静电防护措施。
1级：0-1999v
元器件类型有微波器件(肖特基垫垒二极管、点接触二极管等)、离散型mosfet器件、声表面波(saw)器件、结型场效应晶体管(jfets)、电偶合器件(ccds)、精密稳压二级管(加载电压稳压度<0.5%)、运算放大器(opamps)、薄膜电阻器、mos信息电路(ic)、使用1级元器件的混合电路、超高速集成电路(uhsic)、可控硅整流器等。
2级：2000-3900v
由试验数据确定为2级的元器件和微电路、离散型mosfet器件、结型场效应晶体管(jfets)、运算放大器(opamps)、集成电路(ic)、超高速集成电路(uhsic)、使用2级元器件的混合电路、精密电阻网络(rz)、低功率双极型晶体管。
3级：4000-15999v
由试验数据确定为3级的元器件和微电路、离散型mosfet器件、运算放大器(opamps)、集成电路(ic)、超高速集成电路(uhsic)、小信号二极管、硅整流器、低功率双极型晶体管、光电器件、片式电阻器、使用3级元器件的混合电路、压电晶体。
新版ansi/esd s20.20-2007静电放电控制方案体系标准，将敏感器件按照人体放电模型hbm(human body model)、机器放电模型mm(machine model)、带电器件模型cdm(charged device model)、插座放电模型sdm(socket device model)等不同放电模型可划分为4-7等级的敏感度。
特一级：静电耐受能力0-500v。
特二级：静电耐受能力500-1000v。
一级：静电耐受能力1000-2000v。
二级：静电耐受能力2000-4000v。
三级：静电耐受能力4000-8000v。
根据静电敏感元器件的等级，电子产品静电防护等级可划分为1-4级。
1级：接触2kv，空气2kv。
2级：接触4kv，空气4kv。
3级：接触6kv，空气8kv。
4级：接触8kv，空气15kv。
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静电敏感元器件(ssd)的等级划分