esd对元器件的损害后果导致“硬击穿”或“软击穿”
硬击穿
所谓“硬击穿”是一次性造成芯片内热二次击穿、金属喷键熔融、介质击穿、表面击穿、体积击穿等，使集成电路彻底损坏、永久性失效。当静电放电能量达到一定值时，足以引起塑劫“集成电路的爆炸，使其芯片完全烧毁裸露，造成人身伤害、设备故障、耗费增加。
硬击穿特征明显，一般来说，可以在器件、组装件或插件板出厂交货之前检查出来。
软击穿
“软击穿（软失效）”是造成器件的性能劣化或参数指标下降，但还没有完全损坏而形成隐患，在最后质量检验中很难被发现。在使用时，静电造成的电路潜在损伤会使其参数变化、品质劣化、寿命降低，使设备运行一段时间后，随温度、时间、电压的变化，出现各种故障，不能正常工作，即“软失效”。
如果受损的芯片属于一些重要的控制系统，如网络中心控制系统、自动播出控制系统、生产调度控制中心、电子作战指挥系统、自动导航系统、火箭发射控制系统等，其造成的危害有时是难以预料的，这潜在的损伤，实际上具有更大危害，造成的直接和间接损失更为严重。
软击穿不易察觉，具有潜在隐蔽的特点，危害更大。
另外静电感应和静电放电时产生的电磁脉冲也有一定危害。静电放电一般产生频带为几百 khz～几十mhz、电平高达几十毫伏的电磁脉冲干扰，可使静电敏感器件（static sensitive device 简称 ssd）破坏。
在静电危害的几种类型中，esd损害尤为突出，其突出特点是随机性和不易察觉性，人没有感觉到放电就已造成了静电损伤，不易被检测出来。有关资料证明，esd引起的器件损伤，90％为潜在性的软击穿损伤，10％为立即失效的损伤类型。
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esd对元器件的损害, 元器件的硬击穿, 静电敏感器件的软击穿