静电损失与器件结构的关系：
结构特点 | 元器件类型 | 失效特征 | 失效机理 |
| mos结构 | 1．mos场效应晶体管（分立式） 2．mos集成电路 3．有金属跨接的半导体器件mos结 a.数字集成电路（双极型和mos） b.线性集成电路（双极型和mos） 4．mos电容器 a.混合电路 b.线性集成电路 | 短路（大的漏电流） | 过电压引起介质击穿 |
半导体结 | 1．二极管（pn、pinn、肖特基） 2．双极型晶体管 由于能量过大或过热引 3．结型场效应晶体管 4．硅晶体闸流管 5．双极型集成电路（数字的和线性 6．mos场效应晶体管和mos集成电路的输入保护电路 | 短路（失去二极管或晶体管作用） | 由于能量过大或过热引起的微等离子区二次击穿造成的微扩散。因si和al的扩散引起电流束的增大（电迁移） |
膜电阻器 | 1．混合集成电路 a.厚膜电阻器 b.薄膜电阻器 2．单片集成电路：薄膜电阻器 3．密封的膜电阻器 | 电阻漂移 | 介质击穿，与电压相关的新电流通路（仅对厚膜电阻器），与焦耳热能量相关的微电流通路的破坏（其他电阻器）。 |
金属化条 | 1．混合集成电路 2．单片集成电路 3．流状覆盖式晶体管 | 开路 | 与焦耳热相关的金属化层烧毁 |
场效应结构和非导电性盖板 | 采用非导电石英或陶瓷封装盖板的大规模集成电路和存储器集成电路，尤其是紫外线可编程只读存储器 | 工作性能降低 | 由于静电放电（电荷注人介质材料）使表面产生离子淀积，引起表面反型或栅阈电压漂移 |
压电晶体 | 1．晶体振荡器 2．声表面波器件 | 工作性能降低 | 当所加电压过大时由于机械力作用使晶体破裂 |
间距很近的电极 | 未钝化的薄金属，无保护的半导体，微电路和声表面波器件 | 工作性能降低 | 电弧放电使电极金同烧熔和熔融 |
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