半导体器件生产企业常用的四个esd 灵敏度测试模型-5845cc威尼斯下载

半导体器件生产企业常用的四个esd 灵敏度测试模型

施加到半导体器件的实际静电因带电物体、材料和尺寸而异，其电压和脉冲宽度不同。因此，使用国际标准规定的esd灵敏度测试模型是量化测量半导体器件esd耐受能力的最普遍接受的方法。
这里我们介绍通用标准的概述。

1）人体模型（hbm）

该模型是根据带电人体在接触半导体器件时发生放电的模拟而设计的。100 pf 的电容器通过施加电压进行充电，并在充满电后与电源断开。然后，存储在电容器中的能量通过与半导体器件串联的 1.5 kω 放电电阻放电。半导体器件开始劣化的施加电压被确定为静电击穿电压。。

2）机器模型（mm）

该模型是在模拟器件电容器中充电的能量向半导体器件放电的基础上设计的。请注意，该模型目前已被降级为参考标准，尽管被称为“日本模型”，因为它被 jeita 标准（前 eiaj 标准）采用。200 pf 的电容器通过施加电压进行充电，并在充满电后与电源断开。然后，存储在电容器中的能量通过 0 ω 的放电电阻向半导体器件放电。半导体器件开始劣化的施加电压被确定为静电击穿电压。

3) 带电器件模型 (cdm)

该模型是根据以下仿真设计的： 一个半导体器件，通过与夹具/固定装置的摩擦或靠近带电物体而带静电，允许其内部组件（例如，连接到端子的芯片）带电。然后，在半导体器件内部充电的能量从端子向外释放。在半导体器件的端子和封装之间施加电压，从而使内部组件带电。电源断开后，内部电荷通过一个1ω的放电电阻从端子到地放电。半导体器件开始劣化的施加电压被确定为静电击穿电压。

4) 带电封装模型 (cpm)

该模型是在模拟半导体器件封装上充电的能量（由高电场感应充电）从端子向外放电而设计的。对半导体器件的封装施加高压以在其上产生感应电荷。然后，封装上充电的能量通过 0 ω 的放电电阻从端子释放到地。半导体器件开始劣化的施加电压被确定为静电击穿电压。