esd和eos失效怎么判定？
eos和esd一般都是通过fa看内部损坏的情况再界定；
eos因为是过电应力的损坏，所以一般都有比较明显的损坏痕迹，例如wire烧毁，芯片明显的burn mark，fused compound，fused silicon等等，因为过电应力的能量很大，而且时间相对esd来说比较长，所以烧毁痕迹很容易观察到，明显有变色，拉弧，烧熔等痕迹。
但是esd的损坏痕迹就不明显，一般都是开封后内部结构基本很完整，只有通过失效定位找到esd的损坏点，然后进一步查找esd击穿点，通常都是氧化层的针孔击穿等很小的放电痕迹。
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esd和eos失效怎么判定？